“光刻機”被稱之為

傳統晶片製造的工業母機，因為它必不可少，同時光刻機的好壞，精度，決定了晶片的精度、良率等等。

不過大家也清楚，光刻機目前全球只有4家廠商能夠生產，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子，ASML是荷蘭企業，尼康、佳能是日本企業，而上海微電子是中國企業。

如上圖所示，這是4大廠商的光刻機精度。其中用於7nm及以下晶片製造的EUV光刻機，只有ASML能夠生產。

而尼康能搞定高階的7-28nm的AiF+浸潤式光刻機，但佳能、上海微電子卻還停留在90nm，只能生產低端的光刻機。

不過也有人稱，光刻機所指的精度，並不是指能製造晶片的精度，光刻機可以透過多次曝光，提升解析度的，那麼問題就來了，上海微電子的90nm光刻機，最多能生產多少奈米的晶片？

據資料顯示，目前上海微電子的90nm的光刻機，主要用於電源管理晶片、LCD驅動晶片、WiFI晶片、射頻晶片、各類數模混合電路等。

而在精度方面，90nm肯定沒問題的，同時經過兩次曝光，可以得到45nm的晶片，三次曝光最高可以達到22nm左右的水平。

那麼能不能四次曝光，五次曝光，將精度提升上去？事實上，在實際使用中，2次曝光就已經很厲害了，像ASML等的光刻機 ，大多也只是進行2次曝光。

因為實踐表示，3次曝光會導致良率大幅度下降，4、5次良率可能會低到沒法想象，晶圓廠們的成本高到沒法承受，不如買一臺更高階光刻機，成本還低一些。

所以，目前國內在努力的研發28nm的光刻機，這樣經過兩次曝光後，可以搞定14nm，至於7nm工藝，那最好還是期待EUV光刻機，用28nm的來曝光三次，良率沒法看。

不過，在整個半導體產業鏈，流傳說一句話，那就是“

靠山山倒，靠人人跑，只有自己最可靠”。

所以像光刻機這種東西，只有掌握在我們自己手中，才能避免受制於人，雖然EUV光刻機非常難，但也不得不去攻克。