1。 低ESL

等效串聯電感（ESL）低，為了最佳化高頻特性，電容器適合用於告訴運作的電子裝置電源去耦。

2。 有效減少元器件數量。

使用了低ESL電容器，可維持與2端子電容器相同功能，並減少元器件數量。

IC = integrated circuits 積體電路

LSI= Large Size Integrated circuits。 = 大型積體電路

IC開關速度的高速化使IC本身很容易變成噪聲源，為了解決這種高頻噪聲和抑制電源電壓波動，如圖所示，很多MLCC將被當做旁路電容來使用。

在下圖中，從IC的HOT端子（電源管腳）開始，途徑MLCC，直至IC的GND端子，電流回路所產生的阻抗我們在此稱為迴路阻抗。IC的HOT-GND之間所產生的電源電壓波動依賴於此迴路阻抗的大小。為此，為了控制電源電壓波動，首先需要降低迴路阻抗。此時，MLCC的阻抗就成為迴路阻抗的一部分。

為減小回路阻抗，通常需要將多個MLCC並列連線，根據並聯效果減小總阻抗。此次所使用的MLCC其構造及等效迴路如圖右下角所示，雖為電容器，等效串聯電阻：ESR，等效串聯電感：也有ESL，而這其中的ESL是增大高頻迴路電感的主要原因。

本次所介紹的低ESL電容器如後面所述，是為降低ESL而製成的MLCC的一種。透過將低ESR電容器作為旁路電容器來使用從而減小回路阻抗。此外，MLCC被ESR電容器替換後可以減少並聯使用數目，從而大幅減少數量以及貼裝面積。

接著就低ESL電容器的構造及優勢進行說明。低ESL電容器有2種，即長寬逆轉電容器和3端子電容器。

通常情況下MLCC的ESL隨著電流流動距離長度的加長而增加，寬幅增大時減小，因此在長寬逆轉電容器的構造中透過縮短電流距離、增大走線寬度來實現低ESL。

在3端子電容器內部電極構造中，HOT貫通電極與GND貫通電極相互交替疊加。因此，當電流朝繞行方向流動時，電流距離縮短，走線幅度增長，從而實現了低ESL。此外，3端子電容器的電流流動路線由4條構成，透過並列效果，更進一步實現了低ESL。還有，電流沿著GND方向、畫面的上下方向流動。透過電流產生的相互電感可進一步獲得低ESL效果。

3。 有效靜噪作為EMI濾波器

4。實際使用案例圖片