晶片怎麼製造出來的

晶片隨著智慧化裝置的普及，其重要性日益凸顯，被各國所重視起來。我國在二十一世紀初大舉進入網際網路時，便意識到了這一問題，開始了對中國芯的攻克，當時我國在晶片領域的研發可以說是名列前茅。然而經濟全球化以及各國合作發展的大背景下，不少企業並沒有真正的意識到重要性，從而十幾年的時間中，中國芯突破一直不大，不少企業甚至深陷“造不如買，買不如租”的思想。

因為5G的出現，物聯網生活逐步逼近，晶片的重要性再次被提高，而在5G通訊領域我國遙遙領先。因此，自2020年開始，華為便被老美在晶片上全面封鎖，之後封鎖範圍陸續擴充套件，如今晶片行業已經成為限制中國發展的最大阻力之一。

各界也徹底意識到了晶片及其他技術的獨立自主性，真正注重起來，並投入大量精力，中國芯成功提速，在一兩年的時間內，便走了其他國家花費幾年甚至是十幾年的路程。

前段時間龍芯專案組在晶片架構上徹底突破老美壟斷，進而實現完全自主化，晶片從基礎上不再依賴他國，讓中國芯在真正意義上邁出了第一步。

而最近，

“中國芯”好訊息一個接一個，

關鍵材料獲得突破，打破國外壟斷。

好訊息，晶片製造中3個關鍵環節，打破壟斷。

首先是蝕刻金屬引線框架的突破。

引線框架作為晶片的基本載體，是實現晶片電路內部引出端和外引線的電氣連線而形成迴路的關鍵結構，而其功能的實現則主要依賴於金屬合成材料。

因此，蝕刻金屬引線被視為是構建積體電路的核心材料，對於晶片實現完全自主化有著重大意義。此前我國在蝕刻金屬引線框架方面基本上全部依靠國外進口，而且製造的關鍵技術都掌握在外國企業中，早已經被其申請專利，很難繞過去。這其實也是大部分原材料及相關技術難以攻克的原因，要完全自主就要避開他們談何容易。

不過在蝕刻金屬引線框架上，淄博新恆匯電子透過全新思路繞開了國外的技術攔截。

2019年，淄博新恆匯電子投入6000萬元專門對蝕刻金屬引線框架進行研發。

經過兩年的時間，新恆匯發現了鐳射模式的蝕刻金屬引線框架，並且實驗成功，有望實現量產從而成功代替原有工藝。在此之前，既有的蝕刻金屬引線框架都是採用光折射模式，相對而言效率相對較為低下。

可以說淄博新恆匯電子不僅實現了突破，更是透過創新讓蝕刻金屬引線框架技術更上一層樓，從而幫助中國成功突破技術壟斷，甚至直接成為了領先。

並且根據淄博新恆匯當下的生產實驗來看，利用鐳射技術建立的蝕刻金屬引線框架每年都可提供1億條，而這就佔據了全球10%的產能，可見其成功性。

此外，光刻機領域方面我們也取得了重大成就。光刻膠作為半導體行業的核心原材料，沒有它就無法利用光刻機將晶片生產出來。

而在光刻膠市場上，始終被老美、德國和日本三國所掌控，佔據80%的市場，成為當下嚴重限制中國芯發展的難題。

面對這種情況，2019年我國正式在濱州建設產業園區，而當下即將正式全面投入使用之中，光刻膠方面也獲得了不小的突破。不過隨著產業園區建成後將各企業聯合在一起，未來的徹底突破指日可待。

同時，前不久有訊息稱臺積電在1nm工藝晶片技術上取得了巨大成就。不過這是在和老美合作下取得的

，其中他們在對1nm工藝晶片解析時發現，突破的關鍵在於電極，而1nm晶片電極的主要材料則是鉍。

但鉍的全球分佈中，我國擁有最高的儲蓄量。雖然這不是在材料上的攻克，但天然的優勢也表明全球晶片行業根本離不開中國，

即使目前我國尚未突破晶片製造技術，但也在材料上有可能牢牢地進行了把握。

這也從側面說明，我國當下需要完善的是既有晶片製造工藝，一旦成功自主化，那麼未來對於高階晶片的攻克，將省下更多的功夫，至少在關鍵材料上不用過於費心了。

當然在晶片的生產製造中還需要很多原材料和技術，其中也有不少核心所在，是制約中國半導體發展的主要困難。

蝕刻金屬引線框架、光刻膠，甚至更早的光源等一系列的突破，固然值得我們驕傲，但絕不能因此而自大，中國芯還有很長的一段路要走。

不過隨著越來越多的產業園區的建成，各研究中心、科研機構、企業能夠藉此將力量更好地彙集在一起，也給了我們不少的信心，最終的成功也必將屬於中國。