蘭開斯特大學的物理學家證明，他們發明的新型儲存裝置可以改變計算機、智慧手機和其他電子裝置的工作方式。

本質上，“通用儲存器”是一種資料儲存非常穩健，但也可以很容易地改變的儲存器；直到現在，人們還普遍認為這是不可能實現的。

當前，動態儲存器（DRAM）和快閃記憶體這兩種主要的儲存器具有互補的特徵和作用。 DRAM速度很快，因此可用於活動（工作）記憶體，但它易失，這意味著在斷電時資訊會丟失。事實上，DRAM不斷“遺忘”，並且需要不斷重新整理。快閃記憶體是非易失性的，可以讓你在口袋中攜帶資料，但是速度卻很慢。它非常適合用於資料儲存，但不能用於活動記憶體。

這篇論文發表在1月份的《 IEEE Transactions on Electron Devices》上，展示瞭如何將單個儲存單元以陣列的形式連線在一起以形成RAM。論文預測，此類晶片至少會與DRAM的速度效能相匹配，但效率要高出100倍，並且具有非易失性的額外優勢。

這種稱為ULTRARAM的新型非易失性RAM將成為所謂的“通用儲存器”的有效實現方式，結合了DRAM和快閃記憶體的所有優點，而沒有缺點。

負責這項研究的Manus Hayne教授說：“這份新論文發表的研究成果是一項重大進步，為實施ULTRARAM儲存器提供了清晰的藍圖。”

蘭開斯特研究團隊透過利用稱為共振隧穿的量子力學效應解決了通用記憶體的悖論，該效應透過施加較小的電壓即可使勢壘從不透明切換為透明。

新研究描述了此過程的複雜模擬。並提出了一種用於儲存單元的讀出機制，該機制將邏輯狀態之間的對比度提高許多數量級，從而允許單元以大陣列連線。它還表明，共振隧穿勢壘的不透明性和透明性之間的急劇過渡促進了具有高位密度的高度緊湊體系結構。

正在進行的研究針對工作記憶體晶片的可製造性，包括裝置陣列的製造，讀出邏輯的開發，裝置的縮放以及在矽片上的實現。

原文來源：https：//techxplore。com/news/2020-01-universal-memory-milestone。html