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名錦坊|開關電源的電路損耗分析

簡介3、與開關電源工作相關的損耗4、鉗位電路損耗有放電電阻存在,mos開關管每次開關都會產生放電損耗改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)當然最根本的改善辦法是,降

吸收間脈衝阻值小會有什麼影響

開關電源的電路損耗分析。開關電源,即開關模式電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是一種高頻化電能轉換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構轉換為使用者端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的裝置,例如個人電腦,而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。

開關電源不同於線性電源,開關電源利用的切換電晶體多半是在全開模式(飽和區)及全閉模式(截止區)之間切換,這兩個模式都有低耗散的特點,切換之間的轉換會有較高的耗散,但時間很短,因此比較節省能源,產生廢熱較少。理想上,開關電源本身是不會消耗電能的。電壓穩壓是透過調整電晶體導通及斷路的時間來達到。相反的,線性電源在產生輸出電壓的過程中,電晶體工作在放大區,本身也會消耗電能。開關電源的高轉換效率是其一大優點,而且因為開關電源工作頻率高,可以使用小尺寸、輕重量的變壓器,因此開關電源也會比線性電源的尺寸要小,重量也會比較輕。

若電源的高效率、體積及重量是考慮重點時,開關電源比線性電源要好。不過開關電源比較複雜,內部電晶體會頻繁切換,若切換電流尚未加以處理,可能會產生噪聲及電磁干擾影響其他裝置,而且若開關電源沒有特別設計,其電源功率因數可能不高。

名錦坊|開關電源的電路損耗分析

開關電源電路各種損耗分析如下:

1、輸入部分損耗

(1)脈衝電流造成的共模電感T的內阻損耗加大,適當設計共模電感,包括線徑和匝數。

(2)放電電阻上的損耗,在符合安規的前提下加大放電電阻的組織。

(3)熱敏電阻上的損耗,在符合其他指標的前提下減小熱敏電阻的阻值。

2、啟動損耗

普通的啟動方法,開關電源啟動後啟動電阻迴路未切斷,此損耗持續存在。

改善方法:恆流啟動方式啟動,啟動完成後關閉啟動電路降低損耗。

3、與開關電源工作相關的損耗

4、鉗位電路損耗

有放電電阻存在,mos開關管每次開關都會產生放電損耗

改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)

當然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。

5、供電繞組的損耗

電源晶片是需要一定的電流和電壓進行工作的,如果Vcc供電電壓越高損耗越大。

改善方法:由於IC內部消耗的電流是不變的,在保證晶片能在安全工作電壓區間的前提下儘量降低Vcc供電電壓!

6、變壓器的損耗

由於待機時有效工作頻率很低,並且一般限流點很小,磁通變化小,磁芯損耗很小,對待機影響不大,但繞組損耗是不可忽略的。

7、變壓器繞組引起的損耗

繞組的層與層之間的分佈電容的充放電損耗(分佈電容在開關MOS管關斷時充電,在開關MOS管開通時放電引起的損耗。)

當測試mos管電流波形時,剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分佈電容引起。

改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶,來減少層間分佈電容。

8、開關管MOSFET上的損耗

mos損耗包括:導通損耗,開關損耗,驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。

改善辦法:降低開關頻率、使用變頻晶片甚至跳頻晶片(在空載或很輕負載的情況下晶片進入間歇式振盪)

9、整流管上的吸收損耗

輸出整流管上的結電容與整流管的吸收電容在開關狀態下引起的尖峰電流反射到原邊迴路上,引起的開關損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。

改善方法:在其他指標允許的前提下儘量降低吸收電容的容值,降低吸收電阻的阻值。

當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗,這應該在允許的情況下儘量選擇導通壓降低和反向恢復時間短的二極體。

10、輸出反饋電路的損耗

輸出到了反饋電路會產生損耗。

開關電源產品廣泛應用於工業自動化控制、軍工裝置、科研裝置、LED照明、工控裝置、通訊裝置、電力裝置、儀器儀表、醫療裝置、半導體制冷制熱、空氣清淨機,電子冰箱,液晶顯示器,LED燈具,通訊裝置,視聽產品,安防監控,LED燈帶,電腦機箱,數碼產品和儀器類等領域。

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