此前realme官方公佈，realme 真我 GT2大師探索版將於7月12日正式釋出，近日也開始逐漸放出與新機相關的物料。

官方將這款機型稱為“年度質感旗艦”，由日本知名設計師深澤直人操刀設計，號稱是“工業設計的天花板”。隨著新機發布時間的日益臨近，網上關於這款機型的爆料也更加密集。

根據官網的資訊，真我GT2大師探索版將搭載高通驍龍8+處理器，採用了6。7英寸的中置挖孔柔性屏，屏佔比將達到94。2%，支援最高120hz的高刷，以及1。6萬極的無極調光和DC調光，並將具備全域性暗色模式。鏡頭將由一顆5000萬畫素的主攝以及一顆5000萬畫素的攝像頭和一顆200萬畫素的攝像頭組成的三攝系統。

由於高通驍龍8的糟糕表現，以及能耗比令人失望和更高的溫度，都讓驍龍8這顆晶片飽受爭議。為了一雪前恥，高通也是提前釋出了高通驍龍8+這顆晶片。除了主頻上的提升外，還將這顆晶片的代工工作交給了臺積電，並且是基於臺積電的4nm工藝製程打造，據說在效能提升的同時將帶來更好的溫度表現。

但是realme覺得這還不夠，在真我GT2大師探索版中採用了三明治立體雙VC結構的散熱系統，VC面積達到了4811mm2，直接將專業遊戲手機上的配置搬到了旗艦機上。同時還將全球首發LPDDR5X記憶體，傳輸速率從LPDDR5的6。4Gbps提升到了8。5Gbps。

真我GT2大師探索版的機身採用了金屬中框設計，重量僅為195g，同時內建5000mAh大容量電池，並首次在手機端引入了氮化鎵功率器件，實現了全鏈路GaN百瓦秒充，充滿至100%僅需25分鐘。搭配100W的氮化鎵的充電頭，官方宣稱可將發熱峰值降低85%左右。

根據知名爆料博主在海外平臺曬出的最新真我GT2大師探索版和iPhone 13 Pro的對比照片顯示，基本上與此前曝光的訊息一致，全新的真我GT2大師探索版將採用COP封裝工藝，直接將螢幕的一部分彎折然後封裝。此舉極大地縮減了下邊框的寬度，讓邊框寬度僅為2。37mm，比iPhone 13 Pro更窄，正面效果極為震撼。海外網友看到照片後給出評論“安卓領先iPhone5年”。

結合此前的爆料，真我GT2大師探索版將採用環保素皮設計，將給使用者帶來極其細膩的握持手感。並且配以金屬鉚釘裝飾，配合硬箱造型的直角金屬中框，真機散發著一種優雅的氣質。

從工業設計上來說，realme 真我GT2大師探索版已經做到了領先同行的水準，如果真如傳言中所說，這款機型的起售價將從3000元起跳，那麼在市場上將會極具競爭力。