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中國首款128層3D NAND快閃記憶體晶片問世,誰也不能阻止中國的發展!

簡介4月13日上午傳來一個振奮人心的訊息,長江儲存宣佈,他們自主研發的128層QLC 3D NAND快閃記憶體X2-6070已成功開發,並已在諸如SSD的終端儲存產品上得到驗證,能滿足多個控制器廠商需求

快閃記憶體晶片是什麼

中國首款128層3D NAND快閃記憶體晶片問世,誰也不能阻止中國的發展!

4月13日上午傳來一個振奮人心的訊息,長江儲存宣佈,他們自主研發的128層QLC 3D NAND快閃記憶體X2-6070已成功開發,並已在諸如SSD的終端儲存產品上得到驗證,能滿足多個控制器廠商需求。它是世界上第一個128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片,也是中國第一個128層3D NAND快閃記憶體晶片!

據瞭解,X2-6070在業界已知型號中是佼佼者了,其具有最高的單位面積儲存密度,最高的I / O傳輸速度以及最高的單個NAND快閃記憶體晶片容量。還發布了128層512Gb TLC快閃記憶體晶片X2-9060,以滿足不同應用環境的需求。

中國首款128層3D NAND快閃記憶體晶片問世,誰也不能阻止中國的發展!

長江儲存負責人龔毅表示:“作為快閃記憶體行業的新手,長江儲存在短短3年內實現了從32層到64層的跨越,躍升為128層。這既是所有工作人員共同努力的結果,也是全球產業鏈上下游合作的結果,隨著Xtacking 2。0時代的來臨,長江儲存以不怕苦的精神和堅強不屈決心,勢必開拓一條屬於中國自己的的業務生態系統,讓我們的合作伙伴能夠充分發揮自身長處,實現共同發展。”

長江儲存經過無數次的嘗試和不斷的最佳化,國產晶片的各個方面的效能和適應性都非常強,足以引以為豪了!

長江儲存介紹,於2018年8月釋出的128層各類晶片中,Xtacking框架已升級到了最新的2。0,進一步釋放了產品的快閃記憶體空間。在I / O讀寫效能方面,在1。2V Vccq電壓下均兩款產品都可以可達到1。6Gbps的資料傳輸速率,這是業界執牛耳的速度了。此外,外圍電路和儲存單元是相對獨立的,那麼CMOS電路可以契合更高階的工藝,並且Xtacking 2。0還為3D NAND提供了更好的可擴充套件性,而不會增加芯片面積。

中國首款128層3D NAND快閃記憶體晶片問世,誰也不能阻止中國的發展!

龔毅強調:“我們認為長江儲存自主研發的128層晶片將為中國乃至世界來更大的價值,市場前景一片大好。值得一提的是128層QLC版本將是第一個應用於消費類SSD的產品,並逐步進入企業級伺服器、資料中心以及其他領域,以滿足未來5G和AI時代的多樣化資料儲存需求。”

中國心,中國芯!!!

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