超低導通電阻電晶體針對關鍵星載和其他高可靠性環境中的電源轉換解決方案

EPC Space 宣佈推出 EPC7019G，這是一款 40 V、4 mΩ、530 Apulsed 抗輻射 GaN 電晶體，與最接近的抗輻射 （RH） 矽 MOSFET 相比，它成本更低，效率更高。 EPC7019G 的總劑量等級大於 1 Mrad，LET

的

SEE 抗擾度為 85 MeV/（mg/cm2）。這些器件採用全新緊湊型密封封裝，具有雙柵極，佔位面積小於 45 mm2。該器件的晶片級版本可從 EPC 獲得。

憑藉更高的擊穿強度、更低的柵極電荷、更低的開關損耗、更好的導熱性和更低的導通電阻，基於 GaN 的功率器件顯著優於基於矽的器件，並且能夠實現更高的開關頻率，從而帶來更高的功率密度、更高的效率等用於關鍵星載任務的緊湊和重量更輕的電路。

受益於這些產品效能的應用包括衛星和太空任務裝置的電源、機器人的電機驅動器、儀器儀表和反應輪以及深空探測器。

“EPC7019G 是目前市場上所有封裝的 rad hard 電晶體中導通電阻最低的，”EPC Space 執行長 Bel Lazar 說。 “與替代的抗輻射硬矽解決方案相比，該器件為空間和其他高可靠性市場提供了具有卓越品質因數、顯著更小尺寸和更低成本的關鍵任務元件。”