（ChinaIT。com訊）3月15日，日本豐田合成宣佈與日本大阪大學（OsakaUniversity）成功研製出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助於GaN功率器件的低成本化。

Source：豐田合成

據介紹，為製造超過6英寸的GaN 襯底，豐田合成與大阪大學採用了鈉助熔劑法（Sodium Flux Method），該方法是在鈉和鎵的液態金屬中生長GaN晶體。基於此，豐田合成開發出全球最大、超過6英寸的高質量GaN晶體。

接下來，豐田合成與大阪大學將對6英寸襯底的批次生產進行質量評估，並繼續提高晶體質量、加大尺寸。

Source：豐田合成

目前，豐田合成正在利用其在GaN半導體（藍光LED和UV-C LED）方面的專業知識來開發下一代功率器件。

豐田合成表示，功率器件廣泛用於工業機械、汽車、家用電子等領域的功率控制。

隨著社會朝著碳中和的方向發展，下一代功率器件因能夠幫助減少可再生能源裝置和電動汽車這些大型電力裝置的功率損失，未來應用將廣泛落地，而GaN 功率器件是有助於減少功率損失的方法之一，且開發下一代功率器件需要更高質量和更大尺寸的GaN襯底，以實現更高的生產效率和降低生產成本。