ZIF67奈米顆粒修飾C3N4氮化碳｜石墨相氮化碳@MOF奈米晶體｜定製
ZIF67奈米顆粒修飾C3N4氮化碳|石墨相氮化碳@MOF奈米晶體|定製具有巨表面積的金屬骨架材料ZIF67引入到C3N4之中，合成了均勻分佈的單層ZIF67衍生的C3N4（ZIF67-C3N4），並將其應用於可見光下的亞甲基藍（MB）光催...
納微氮化鎵晶片為小米旗下Redmi Note 12 探索版210W快充賦能
納微半導體牽手小米集團10月27日，小米旗下 Redmi Note 12 探索版正式釋出，牽手氮化鎵功率晶片行業的領導者納微半導體（納斯達克股票程式碼：NVTS），給大家帶來了210W“神仙秒充”的快充技術充電器，實現9分鐘充滿，成功將快充...
百瓦級氮化鎵快充都用什麼方案？拆解29款經典產品揭曉
6、內建4顆氮化鎵，採用高效LLC電路架構，聯想YOGA 130W雙USB- C口快充深度拆解PFC升壓晶片：安森美NCP1615PWM主控晶片：安森美NCP13992同步整流晶片：2顆安森美NCP4306協議晶片：偉詮WT6633P氮化鎵...
半導體概念：利好出爐！3只“半導體”龍頭，未來3年有望翻10倍！
二、半導體零部件聞泰科技公司率先推出行業領先效能的第三代半導體氮化鎵功率器件（GaNFET），目標市場包括電動汽車、資料中心、電信裝置、工業自動化和高階電源，特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中，氮化鎵技術是其使用的牽引逆變器的首選技術...
Porotech獲2000萬美元融資，專注MicroLED微顯示技術和新型奈米多孔氮化鎵材料技術
Porotech核心技術及團隊源於劍橋大學材料科學與冶金系劍橋氮化鎵中心，團隊基於在氮化鎵材料領域十餘年的研究積累，率先開發出可工業化和大規模量產的新型奈米多孔氮化鎵半導體材料架構，現階段公司主要專注於MicroLED在顯示和微顯示領域的應...
ORICO（奧睿科）2C1A 65W氮化鎵充電器開箱簡曬
總結對於我同事來說2C1A的氮化鎵充電頭才能滿足他同事給iPhone、iPad Air和標準USB-A介面的電子裝置進行充電需求，而且單口的機率支援65W輸出也能滿足輕薄膝上型電腦的供電需求...
讓原裝充電器吃灰的實力派“小塊頭”ORICO 氮化鎵使用體驗
ORICO 65W 3口氮化鎵充電器在做工上非常不錯，特別是在撥開插頭的時候非常有質感（脆脆的聲音特別好聽），在體積上小巧迷你，不佔用插座的空間，避免了插頭“打架”的尷尬，在效能上1個可以頂3個使用，特別是能夠為膝上型電腦充電太棒了，給電腦...
具有革新作用快充產品，AENZER恩澤PD3.0 130W氮化鎵充電器輕體驗
總結AENZER 130W氮化鎵充電器適合出差旅行，當然如果居家辦公也是很合適的，4個C口滿足大多數人的充電需求，而且四個口都支援快充，這確實是很少見的...
氮化鋁陶瓷基板助力人工智慧，服務美好生活
陶瓷基板擁有高導熱係數的特性，氮化鋁陶瓷基板（AlN）導熱率180 W/（m-K）~ 260 W/（m-K））遠遠高於傳統意義上使用有機材料或金屬基材料的基板，晶片使用氮化鋁陶瓷作為基板，可以將熱量及時的發散，進一步保障機器人的穩定執行，提...
能實時追蹤細胞生理活動的晶片誕生，實現高通量單細胞行為檢測
近日，相關論文以《一種多功能，生物培養箱可相容的單片氮化鎵光電器件用於無標記檢測細胞生理活動的光學晶片顯微感測系統》（A Versatile， Incubator-Compatible， Monolithic GaN Photonic Ch...
努比亞大白65W超薄氮化鎵充電器，不僅小巧也便於攜帶
總體上來說，努比亞大白65W超薄氮化鎵充電器還是很不錯的，首先外觀確實非常的簡約大氣，革新餅乾式設計不僅小巧，而且還不佔用空間，可以輕鬆塞入口袋，便於攜帶，其次就是雙插口設計，雙USB-C插口，多裝置共享，更相容，更便捷，GaN 3氮化鎵加...
把握第三代半導體產業機遇耐威科技擬在青島投資建設氮化鎵晶圓廠
這次擬在青島西海岸新區再投建氮化鎵（GaN）晶圓製造專案，耐威科技表示，若專案順利建成，將有利於公司在第三代半導體領域的全產業鏈佈局，把握產業發展機遇，儘快拓展相關材料與器件在 5G 通訊、物聯網、資料中心、新型電源等領域的推廣應用...
從1到9000萬 倍思如何做到出貨量第一？
上下游的良好合作關係讓倍思氮化鎵充電器擁有更強的技術支援，讓充電器支援更多的快充協議，打造出具有領先地位的產品，打造全球首款產品，對於氮化鎵充電器行業具有極高的指導和參考價值，也讓倍思的氮化鎵充電器成為了行業標杆...
「芯觀點」5G射頻晶片，“卡脖子”的絞索正被斬斷
上述濾波器產業格局，除了歐美企業憑藉先發優勢構造的專利和商務壁壘等原因，很大程度上還源於濾波器微機電器件在結構設計、工藝引數、襯底/薄膜材料等各個環節的技術壁壘，後來者需要突破寬槽犧牲層材料平坦化、超薄片減薄拋光、高精度/高取向度和高均勻性...
高導熱氮化鋁陶瓷基板製備工藝研究
因此為了提高AlN陶瓷熱導率，製備陶瓷的粉體原料和燒結工藝就必須要多加註意——而經過不斷的實驗研究表明，細化氮化鋁原始粉料以及新增適宜的低溫燒結助劑都是行之有效的解決方法...