上週，英特爾位於愛爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺EUV光刻機的安裝，而這也是歐洲首個具備EUV工藝的晶圓廠。

而按照intel的說法，Fab 34工廠將在下半年量產intel 4工藝，也就是7nm，比預計的時間可能會提前一點點。

為何intel要將7nm，命名為intel 4？很多網友表示，這是因為intel覺得自己的7nm，可以對標臺積電、三星的4nm工藝，所以搞了個4出來，從命名上扳回一局，掩蓋自己的工藝落後的尷尬局面。

那麼intel的7nm究竟有多厲害？能不能與臺積電、三星的4nm相媲美？我們還是按照摩爾定律的基本原則來說一說。

摩爾定律裡面關於晶片的效能，主要是以電晶體密度為基礎的，說是每18個月，電晶體密度就要翻一倍，所以我們也說電晶體密度這個指標，可能比較靠譜一點。

如上圖所示，英特爾的7nm工藝，其電晶體密度是1。8億個每平方毫米。

而臺積電的5nm工藝，其電晶體密度是1。73億個每平方毫米，說起來比intel的7nm還差一點。

至於臺積電的3nm工藝，電晶體密度則達到了2。9億個每平方毫米，與intel的5nm，也就是intel 3工藝差不多了。

再看看三星，5nm工藝時，電晶體密度是1。27億個每平方毫米，確實比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時，其電晶體密度也只有1。7億個電晶體每平方毫米，比臺積電的5nm還遜色一點，自然也比不過英特爾的7nm了。

由此可見，英特爾拿7nm工藝來取個intel 4工藝，對標臺積電、三星的4nm是真的沒錯的。同樣類推，我們還可以得出intel 3工藝，其實是5nm工藝，對標的是臺積電的3nm。

其實過去的這幾年以來，很多人都說臺積電、三星的XXnm工藝造假，連高通曾經都這樣表示過，但對於晶片廠商們而言，更先進的工藝，更有噱頭，更有賣點，所以大家也都不介意它不是不造假了，甚至是大家一起努力將這個假的變成真的。

只有英特爾一直在遵循摩爾定律，最後倒讓大家認為它工藝落後了，所以將自己的工藝改名，讓大家看不出具體是XXnm來，也算是英特爾耍的一個“小聰明”。