2020年5G旗艦手機的標配是什麼？密密麻麻的攝像頭，人工智慧晶片，Wi-Fi6技術，屏下指紋識別？最近手機廠商紛紛開麥，表示LPDDR5必須有姓名。

LPDDR，全稱Low Power Double Data Rate，是美國JEDEC固態技術協會面向低功耗記憶體而制定的通訊標準。而LPDDR5，作為當下最新的記憶體標準，聽起來似乎沒毛病。

畢竟什麼億級畫素、4K高畫質影片、VR遊戲等等各種炫酷的5G創新應用和互動，都需要高通量的資料讀寫與儲存空間來支撐。

而一個有意思的現象是，記憶體升級往往是上游製造商主動釋出新硬體，比如三星公司（Samsung）正在大力宣傳其最新的LPDDR5智慧手機，聲稱為5G和AI智慧手機做好了準備，而不是被動等待市場的自主進化與選擇。

相繼在儲存上做文章的手機廠商，又在其中扮演了何種角色呢？

5G時代的記憶體和快閃記憶體，需要怎樣的超能力？

“請問怎麼樣才算對手機儲存入門了？”

“很簡單，你只要把DRAM、NAND、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4x、LPDDR5、eMMC、UFC、uMCP等都學一遍，就算了解了一點皮毛吧。”

觀看數個小時的手機發佈會，小朋友，你是否有很多問號？？

所以，我們今天就試圖抽絲剝繭地解釋這個問題。

我們知道，智慧手機的記憶體管理機制和電腦的工作流程其實是差不多的。

快閃記憶體ROM就像是一個巨大的蓄水池，裡面儲存的都是可以長期存在的資源，拍下的照片、下載的影片、收發的文件等等，都儲存在這裡。

如果說快閃記憶體ROM突顯的是家大業大的“富有感”，那麼快閃記憶體RAM就像是家門口的大馬路，是手機晶片和資料之間的橋樑，人類發出的程式和指令都要透過記憶體傳送給處理器（高效能晶片）進行運算，進而再將處理好的資料傳送回去。越寬敞的馬路，自然更容易獲得“主播帶你上高速”的爽感。

智慧手機的豐富功能，也讓記憶體必須實現“多車道通行”，也就是多工同時執行的能力。“清障功能”也必不可少，一旦發現有任務在道路上停留佔道，防止其他應用順滑執行，自然也要想辦法關閉它。這也是許多“XX管家”清理功能所幹的事兒。

那麼，5G的到來，又給手機記憶體帶來了哪些新的挑戰呢？

首先，是“流量”的增大。5G有著更高的容量和更快的速度，需要處理器完成對記憶體資料大通量吞吐的要求。

像是4K影片傳輸、感測器互動、智慧汽車等AI級能力，記憶體的寫入和讀取效率都直接決定著用於體驗。

其次，為了保證快速的響應時間，5G開始應用分散式計算，很多資料處理也被從中心網路下放到了邊緣處理器。尤其是對任務低時延的考驗，線上遊戲、人工現實（AR）和虛擬現實（VR）、自動駕駛，甚至遠端手術等等。

因此記憶體也開始需要考慮對異構資料的處理能力，即附加各種計算元素的需求，讓其走到哪裡都能夠為高效能處理器提供充沛、通暢的“原料”。

最後，對記憶體能耗的管理效率也需要提升。手機外殼、電池可以維修和更換，但記憶體卻必須擁有高永續性和安全性，至少在換機週期內必須足夠堅強。

而當5G與4G融合時，各種傳輸點、傳輸塔和其他網路鏈路之間的通訊，也增加了對快閃記憶體、記憶體等關鍵元件在耐用性、耐溫性等方面的要求。

因為5G流媒體傳輸會攜帶更多的資料（比如高質量的影片），這就要求記憶體到快閃記憶體之前要緩衝的幀數就越多。一些複雜的智慧推斷任務，也需要更高級別的頻寬，將直接導致壓力和損耗，降低記憶體的壽命。

沒有使用者會願意購買一臺先天壽命短暫的手機。所以，記憶體的發展勢必會朝著頻寬更大、功耗更低的方向發展。

記憶體向何處進化？1+1+1＞3的路線圖

既然記憶體是5G手機的壓力源，那麼直接拉昇記憶體的技術高度行不行呢？

近期被不少手機品牌稱為“5G時代旗艦機標配”的LPDDR5，就是在這一指導思想下誕生的。

智慧手機通常會會應用最新標準的LPDDR產品，按目前的進展也就是第五代LPDDR5；而一些對效能需求不太高的汽車內嵌儲存、桌上型電腦等等則可以滯後一點，應用成本較低的LPDDR4、LPDDR3等。

相較上一代LPDDR4標準，2019年2月釋出的LPDDR5，支援多Bank Group模式，相當於資料傳輸從單車道變為多車道，增加更多的並行資料通路，因此其I/O速度從3200MT/s提升到6400MT/s，直接翻了一倍。

如果匹配高階智慧機常見的64bit BUS，每秒可以傳送51。2GB資料（相當於12部全高畫質電影）。大家品品，這才是與5G手機相匹配的記憶體嘛？

除了效能更高之外，到了LPDDR5這一代，其功耗管理水平也提升了。

中國三星官方微博宣稱，相同工作速率下，LPDDR5 比 LPDDR4x 功耗節省14%。美光也對外表示，其量產的LPDDR5可以讓手機續航時間延長5%到10%。

另外，LPDDR5 引入了資料複製（Data-Copy）和寫X（Write-X），可以將單個陣腳的資料直接複製到其它針腳，依靠出色的資料傳輸速率提升，可以透過高速運轉來充分釋放處理器的效能，讓它以更快的速度處理資料，從而更早地進入“睡眠模式”，也就不用長時間、高負荷地工作。

Write-X則減少了SoC晶片和RAM傳遞資料時的耗電，這樣，就讓摺疊屏等大尺寸、多工的高頻互動協作在終端成為可能，而不會給手機功耗控制帶來過大的壓力。

所以，由於LPDDR5能以“零時差”的時間來完成資料的處理並且儲存，因此在同時執行影片、遊戲、螢幕分享等多個應用時，其反應也更加從容，從而得以解決卡頓、黑屏等問題。

既然如此，是不是所有記憶體卡都升級成LPDDR5就行了呢？當然不是。三星從2015年開始向LPDDR5過渡，五年時間才推出了第一代相應終端，就足以說明問題。

這就要提到第二個限制手機儲存能力進化的技術，那就是快閃記憶體。

大家可能會說，快閃記憶體不就是一個存放資料的憨憨倉庫嗎，把它做大，做得比友商還大，不就行了？

但問題是，快閃記憶體和記憶體是一套基礎建設，修好了八通道的高速路，但倉庫的進出庫只靠一個行動遲緩的管理員，是不是有點違和了？

所以，從2011年就開始在手機上應用的eMMC快閃記憶體，全稱embedded Multi Media Card，即“嵌入式多媒體儲存卡”，一種大規模應用在手機或平板電腦等產品的內嵌式儲存器標準規格，自然也要跟著發生進化。

從2016年開始，手機處理器開始支援另一種標準——通用快閃記憶體儲存，Universal Flash Storage，簡稱UFS。此後，UFS就開始出現在一眾高階旗艦手機當中。目前最新的UFS 3。0，單通道頻寬可達11。6Gbps，已經相繼搭載在三星Note10、魅族16T、iQOO Neo 855等硬體中。

二者的區別在哪裡呢？

簡而言之，eMMC快閃記憶體是基於並行資料傳輸技術打造，同一時刻只能執行讀或者寫，所以傳輸比較慢；而UFS則基於序列資料傳輸技術，每次只有兩個資料通道，傳輸時速吊打eMMC。所以在安裝和開啟大型遊戲或應用時，UFS 2。1的耗時都更短。

所以很多時候LPDDR5常常會和UFS一起出現。

不過，UFS的終端優勢釋放，自然也要依靠整體硬體的改變來展現。

這就不得不提到第三個限制技術——uMCP。

MCP全稱是Multi Chip Package 多晶片封裝，能夠簡化PCB板的結構，從而讓設計、組裝、測試良率都得以提高。

上一代的封裝技術eMCP，是將eMMC和低功耗DRAM兩顆晶片高度整合，從而直接降低手機成本，縮短出貨週期，可以說為中低檔智慧手機的普及做出了不少貢獻。

既然是成本神器，符合5G手機全面普及的訴求，又順應UFS繼承eMMC的趨勢，所以新的封裝技術uMCP，自然也就取代了eMCP，開始上位了。

（三星宣佈量產首批12GB LPDDR4X uMCP晶片）

uMCP結合LPDDR和UFS，不僅具有高效能和大容量，同時比PoP封裝+分立式eMMC或UFS的解決方案，佔用的空間減少了40%。

三星為中端市場推出的12GB uMCP 解決方案，就將顆 24Gb LPDDR4X 晶片與eUFS 3。0 NAND 快閃記憶體結合到一個封裝中，突破了目前的 8GB 封裝限制，可以讓中端智慧手機也感受到AI功能、4K影片等前沿能力。不久前，又宣佈交付全球首款量產應用於高階智慧手機的LPDDR5 DRAM 晶片。

不過就在3月11日，三星被美光截胡了，後者打造了業界首個LPDDR5 DRAM和UFS快閃記憶體相結合的多晶片封裝（uMCP），速度可達6400Mbps，比前一代介面效能提高50%。

這被看做為解決5G資料瓶頸起到至關重要的作用，比如IHS Markit董事邁克爾楊（Michael Yang）就聲稱，美光科技的uMCP滿足了包括5G在內的智慧手機當前和新興的需求。

所以說，隨著未來10年5G網路的建成和普及，以及智慧邊緣裝置的增長，從可視門鈴到自動駕駛汽車，都將刺激對記憶體和儲存的更多需求。根據客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智慧手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120GB的 NAND。

而uMCP，則是LPDDR5+UFS在5G時代的理想解決方案，三者相結合，才能真的讓5G手機體驗上升到一個新臺階。

LPDDR5獨領風騷，5G儲存變革卻還在雲山之外

既然5G手機在儲存方面的表現，要靠多重技術的全面迭代，所以我們說，不能看到LPDDR5就自動聯想到“5G旗艦”，因為實在是言之過早了。

究其原因，主要跟新技術標準普及所必然面對的瓶頸有關。

首先，應用了LPDDR5的uMCP晶片，生產難度增大，所以生產成本和採購成本都比較高，更適合運用在追求效能的頂級旗艦機種。

2月12日，三星釋出的新一代旗艦智慧手機Galaxy S20系列，記憶體就搭載了全球首發LPDDR5， 5G版本為12GB LPDDR5 RAM。美光LPDDR5採用的是1Y nm光刻技術，基於UFS的多晶片封裝（uMCP5）技術應用於智慧手機。具體表現如何，還有待市場檢驗。

此外，為了滿足更大記憶體、快閃記憶體的需求，就需要更強悍的“芯髒”處理器，以及更大的電池容量，來保證足夠的續航。

這顯然不是一件容易的事，因為盲目加大電池只會讓手機的爆炸風險更高。如何平衡儲存、計算、續航等綜合體驗，是一件考驗頂層設計、研發、權衡的藝術，並不是拿一個供應鏈解決方案就可以輕鬆超車的簡單操作。

舉個例子，UFS在儲存檔案的開啟速度上，和eMMC相比，使用者的感知並沒有特別大的差異，其體驗優勢主要在一些100M以上的大型遊戲等方面以及檔案傳輸上，整合到uMCP上之後，是否能真正轉化為消費者真實可感的快樂，顯然離不開PCB設計、針對性最佳化、實驗室測試、生產線品控等層層把關。

另外，可以預見的是，伴隨著中國儲存產業的進軍，比如長江儲存去年剛剛重建DRAM事業群，合肥長鑫LPDDR5也在規劃中，未來這一標準和儲存也將成為中低端手機的標配。

今天被高高舉起的“5G旗艦標配”flag，到底是一口毒奶，還是真實的5G加速器，結果只能由消費者自己買單來檢驗了。