中芯國際是中國大陸晶片代工行業的門面，近幾年在社會各界的支援下，發展十分迅速，接連傳出好訊息。中芯國際最新財報顯示，今年上半年，中芯國際取得37。45億美元的營收，同比增長53%。

在核心技術方面，中芯國際也有好訊息傳來：55奈米BCD平臺第一階段已完成研發，進入小批次試產。

這原本是一條非常振奮人心的訊息，但是有人看到這條訊息卻極盡嘲諷，竟然說中芯國際突破的是國外十年前的技術。但事實真是如此嗎？

實際上，55奈米BCD工藝是全球領先的工藝水平，十年前的BCD工藝只有180nm！

很多人對半導體的瞭解並不全面，只能粗淺地按照納米制程等級來區分晶片，比如大部分人都很容易區分手機晶片的等級，5nm工藝的麒麟9000晶片肯定要比7nm工藝打造的驍龍855晶片要更好。

但是大家都不知道，晶片的種類其實有很多，我們常見的高階手機晶片每年市場需求量其實只佔整體晶片市場的5%都不到。

而所謂的BCD平臺工藝和我們平常理解的手機晶片製程工藝有很大的區別，甚至完全無法相提並論。

我們平常說的3nm、5nm晶片其實都是指CMOS工藝的數字邏輯積體電路，但積體電路並不止數字邏輯，還有類比電路射頻電路。相比數字邏輯積體電路，這類晶片所處的工作環境更加惡劣，需要更加可靠的穩定性，研發難度同樣非常困難，甚至沒有成熟的EDA軟體可供開發。

BCD工藝是一種單片整合工藝技術，主要用於數字/功率半導體的混合電路，它有什麼特殊之處呢?

BCD工藝是Bipolar-CMOS-DMOS的簡稱，聽名字就能知道的它的特殊之處：BCD工藝就是將雙極電晶體（Bipolar）、CMOS和DMOS（雙擴散電晶體）這三種器件整合到同一晶片之中。

BCD工藝整合這三種器件的好處是使其互相取長補短，發揮各自的優點。所以BCD工藝打造的晶片既有雙極器件高跨導、強負載驅動的優勢，也融合了CMOS器件整合度高、低功耗的優點。

成熟的BCD工藝製程可以讓晶片大幅降低功率損耗、提高系統性能，節省電路的封裝費用，還有更好的可靠性。

BCD工藝的主要發展方向有三種，分別是高壓BCD方向，電壓範圍是500-700瓦，用於電子照明和工業應用的功率控制；高功率BCD方向，電壓範圍是40-90瓦，主要是用於汽車電子；高密度BCD方向，主要電壓範圍是5-50瓦，主要用於一些高電壓汽車電子應用。

同時，BCD工藝也是製造電源管理、顯示驅動等IC的上佳選擇。在當前智慧化趨勢加快的背景之下，各種智慧電子終端、工業器件對電源管理、顯示驅動都有了更高的需求，因此發展BCD工藝是大勢所趨，具有廣闊的市場前景。

目前在售最先進的BCD只有90nm，主要由SEM公司製造銷售，所以對比起來，中芯國際的55nm BCD工藝是全球領先的。

中芯國際高製程的BCD工藝未來主要針對工業和汽車應用的中高壓BCD平臺和車載BCD平臺，以及為高數字密度和低導通電阻的電源管理晶片提供解決方案。

我寫這篇文章的目的不是為了吹噓中芯國際的技術有多麼強大，而是為了讓大家瞭解晶片有很多種類，不同種類晶片有不同的作用。

我還要告訴大家，雖然中國的半導體整體制造水平確實落後國際先進水平，但也千萬不要妄自菲薄。過去12年，我們國家建立了完整的晶片工業體系，在研發、設計、製造、終端、晶圓等方面均有佈局，並且都保持了高速增長。

所以我們要看到，我們的落後是暫時的，早晚是會突破的！

臺積電總裁魏哲家最近說，臺積電保證能夠在2025年量產2nm晶片，並且會是最領先的技術。厲害嗎？確實很厲害，但是我們也要看到，中芯國際在沒有EUV光刻機的情況下，依然完成了7nm製程工藝的研發。

如果我們購買的那臺EUV光刻機能夠順利發貨，我們現在與國際水平的差距還會更小。

中國大陸半導體產業的突圍不會是一帆風順的，我們承認差距，但是我們的科研人員必須抱著必勝的信念迎難而上。作為普通老百姓，我們別的不能支援，但我們至少可以少說點風涼話，少傳播點謠言，少聽別人的忽悠，這就是最好的支援。