作者：程諾，編輯：小市妹

功率半導體器件（也稱電力電子器件），是在電力電子變換裝置中可實現電能轉換與電路控制的核心器件，主要在電子電路中發揮著整流、變頻、變壓、功率放大/開關和線路保護等作用。

按器件整合度劃分，功率半導體當前可分為功率分立器件、功率模組和功率IC三大類。其下游應用廣泛，幾乎可覆蓋至所有電子製造領域，如電力傳輸、工業控制、消費電子和新能源等。

近年來，隨著AI、數字經濟、光伏、新能源汽車等產業的快速發展，功率半導體增量空間不斷開啟，市場規模持續增長。據Omdia資料統計，2021年，我國功率半導體市場規模為159億美元，預計到2024年，市場規模有望達到190億美元，發展前景廣闊。

由於我國起步較晚，當前不管是從技術儲備還是營收能力上均與國外企業有著一定差距，但得益於國家近年來制訂的一系列政策的鼓勵、支援與促進，國內功率半導體行業正駛入發展快速道。

1、聞泰科技

全球ODM+IDM行業龍頭，成立於2006年，主要從事半導體、光學模組及通訊產品整合三大板塊業務，擁有集半導體晶片設計、晶圓製造、封裝測試，以及光學模組、通訊終端、汽車電子等多個產品研發、製造於一體的全產業鏈佈局。

據官網，公司以手機獨立設計業務起家。2008年，主營業務轉型至ODM領域，隨後ODM業務常年市佔率為20%左右。2019年，公司完成對全球領先半導體IDM廠商安世半導體的收購，佈局切入半導體領域。兩年後，公司收購廣州得爾塔，正式佈局光學模組業務。

在功率半導體領域，公司全資子公司安世半導體是全球領先的分立與功率晶片製造商，深耕半導體研製超60年，產品品類豐富，主要有二極體、雙極性電晶體、MOSFET器件（金氧半場效電晶體）及氮化鎵場效應電晶體等，可廣泛適用於全球各類電子設計中。

其中，公司100V以上MOSFET料號已超100種。而在化合物半導體產品方面，公司第二代650V 氮化鎵功率器件現已透過AEQC認證測試並實現量產，新款器件效能優勢明顯。

據IHS Markit 2020年資料，安世半導體雙極性電晶體、二極體和ESD保護器件均排名第一，汽車功率MOSFET管排名第二，多個品類產品的全球市佔率均處於領先地位。

據Omdia資料，2021年，安世半導體在全球功率半導體企業中排名第八，在全球功率分立器件企業中排名第六，分別較2019年上升一位、較2020年上升三位。

2、華潤微

國內功率半導體領軍企業，主要從事功率半導體、智慧感測器和智慧控制產品的設計、生產及銷售，以及為客戶提供晶片設計、晶圓製造、封裝測試、掩模等全產業鏈一體化製造服務。

公司高度重視技術研發，掌握著溝槽型SBD設計及工藝技術、MEMS工藝晶圓製造技術及IPM模組封裝技術等多項達到國際領先、國內領先地位的核心技術。

在功率半導體領域，公司產品主要分為功率器件和功率IC兩大類，其中包括MOSFET、IGBT、SBD及各系列電源管理晶片等，多適用於消費電子、汽車電子、新能源和工業控制等領域。

基於先進的設計技術和製造工藝，公司生產的功率器件產品具有高可靠、低開關/導通損耗等優勢。據年報，截至2020年底，公司已合計擁有超1100項分立器件產品與超500項功率IC產品，是國內產品線最為全面的功率分立器件廠商之一。

得益於IDM模式的優勢和較強的研發實力，公司現已建立起領先國內水平的Trench-FS工藝平臺，具備600V-6500V IGBT工藝能力，在IGBT、SBD等功率器件上具有較強的產品競爭力，是目前國內少數同時擁有全部MOSFET主流器件結構研發和製造能力且可為客戶提供-100V至1500V範圍內低中高壓全系列MOSFET產品的功率半導體廠商。

據2022半年報顯示，公司先進中低高壓MOSFET當前已在光伏、新能源汽車及充電樁領域實現了規模化銷售，IGBT產品也已透過全球光伏頭部客戶認證並批次供應。

國內IDM功率/模擬晶片龍頭，成立於1997年，專注從事積體電路、半導體分立器件及LED等電子產品的設計、製造和銷售，主要產品品類包括功率器件、類比電路、MCU、LED晶片等。

3、士蘭微

成立早期，公司主要從事類比電路設計。2001年，公司開始切入矽晶片製造業務，成為IDM模式的半導體企業。此後近20年，公司業務領域逐步拓展至LED、IPM和IGBT等板塊。

2017年起，公司與廈門半導體投資集團共同投資建設12寸特色工藝晶圓產線及先進化合物半導體器件產線，第一條產線於2020年底投產，公司成為國內率先佈局12寸晶圓產線的IDM企業。

據年報，公司當前業務佈局以功率分立器件及模組為主，功率器件產品已覆蓋至MOSFET、IGBT、IGBT大功率模組（PIM）、IPM模組等眾多品類，且部分產品效能已達行業領先水平。

其中，在IPM領域，公司打造了以IPM為核心的完整解決方案，系列產品已覆蓋至20W-3000W功率段，可廣泛應用於冰箱、空調、變頻器、風機、水泵等領域。受益於全球晶片短缺，公司憑藉產能優勢迅速上量，目前已獲得海爾、美的、格力、海信等主流家電企業的認可。

在IGBT、超級結MOSFET等領域，公司積極佈局，研發技術實力較強，已成功推出了基於自主研發的V代IGBT和FRD晶片的電動汽車主電機驅動模組。

目前，公司車規IGBT模組已透過國內多家客戶測試，並已實現批次供貨。

國內老牌功率半導體企業，成立於2006年，主營功率半導體晶片及器件製造、積體電路封裝測試等業務，擁有各類電力電子器件晶片、MOSFET、IGBT、SiC、功率二極體等豐富的產品線，是國內少數集半導體分立器件晶片設計製造、器件封裝測試、銷售與服務於一體的IDM廠商。

據官網，公司前身為揚傑投資，主營電子元器件貿易業務。2006年，公司設立橋堆二極體產線，業務轉向產業鏈上游，主要產品包括整流二極體、快恢復二極體、光伏二極體等多個品種。

4、揚傑科技

據芯謀研究資料，2019年，公司在國內功率二極體市場的市佔率為13。5%，排名行業第一；整流橋全球市場市佔率達20。5%，排名前列，行業領先優勢明顯。

2017年，公司開始切入功率器件中高階領域，佈局IGBT和MOSFET器件研發生產。當前，公司MOSFET、IGBT系列產品開發、驗證進展順利，已實現多款中低壓溝槽功率MOSFET產品的量產，掌握了SGT MOS技術，產品效能和良率均達到國內最優水平。

其中，公司車規級MOSFET系列產品現已實現批次供貨，車規級IGBT正持續推進客戶認證；光伏逆變器用IGBT也已實現小批次生產供貨。

公司重視研發創新，堅信研發驅動企業長期成長。2021年，公司在研發上投入費用2。42億元，同比增長84。73%，研發投入佔比達5。5%。

而透過較高力度的研發投入，公司產品持續迭代更新，在發展中高階MOSFET、IGBT晶片及器件的同時，面向功率器件高階領域，前瞻佈局加強SiC、GaN等第三代半導體相關技術的研發，當前已實現650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD、SiC模組等全系列產品的市場推出。

國產IGBT龍頭，成立於2005年，專注於從事IGBT、MOSFET、SiC等功率模組的設計、製造和測試，產品可廣泛應用於新能源、工業控制、新能源汽車和白色家電等領域。

據官網，成立之初，公司即專注IGBT模組的開發。2007年，公司完成了IGBT模組關鍵技術工藝的開發，成功推出了第一款IGBT模組。之後，為實現核心晶片自主供應，公司自主研發出了平面柵NPT型IGBT晶片，並於2012年成功實現量產。

據Omdia資料，2020年，公司IGBT模組收入在全球佔比2。8%，排名第六，是國內唯一進入世界前十的IGBT公司。

5、斯達半導

在車規級IGBT方面，得益於公司較早的佈局新能源汽車領域，其車規級IGBT模組持續放量，當前配套車型已實現A00級到B+級的覆蓋。

而透過與華虹半導體合作，公司於2021年率先成功研發出了基於第七代微溝槽技術的新一代車規級650V/750V/1200V IGBT晶片，並於2022年實現批量出貨，技術水平大幅領先市場。

據統計資料顯示，2022年第一季度，公司在車規級IGBT市佔率約為16。4%，排名國產品牌第一，僅次於龍頭英飛凌（全球頭部半導體企業之一）的22。9%。

在光伏IGBT方面，公司也已較早步入，自主IGBT晶片開發的分立器件以及配套快恢復二極體晶片的模組和分立器件已獲得行業內主流光伏逆變器客戶的達批次裝機應用。

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