下游需求旺盛，國產加速佈局，功率半導體企業哪家強？
而透過較高力度的研發投入，公司產品持續迭代更新，在發展中高階MOSFET、IGBT晶片及器件的同時，面向功率器件高階領域，前瞻佈局加強SiC、GaN等第三代半導體相關技術的研發，當前已實現650V SiC SBD、1200V系列SiC SB...
8個交易日被“聰明資金”淨買入超87萬股，這家半導體龍頭值得被看好？
2022年上半年由於消費電子領域需求疲軟導致消費電子類芯片價格大幅下降，而應用於新能源汽車、光伏等領域的功率半導體仍處於供不應求的局面，使得晶片市場行情出現分化，公司在上半年也降低了應用於消費電子市場的Trench-MOSFET的銷售比例，...
另一種角度，透過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理
（3）VGS電壓：柵極G-源極S施加大於開通閾值的正電壓，正電壓的電場力吸引電子，排斥空穴，從而讓源極S填充電子，形成D-S的電子導電溝道N溝道MOSFETP溝道MOSFET：（1）虛線：代表導電溝道，同時也表示在門極不加電壓的情況下，導電...
從實際應用中吸取經驗：如何驅動寬頻隙半導體器件的柵極
作者：Riccardo Collura，EMEA 垂直部門經理（電源），富昌電子閱讀本文以瞭解矽、SiC 和 GaN 功率開關的主要特性比較柵極驅動器對寬頻隙電晶體的特殊要求評估 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 驅動器時要牢記的...
Diodes – 控制器 IC 提高了反向放電保護電路的效率
透過將 DZDH0401DW 與低導通電阻 MOSFET 相結合，設計人員可實現與肖特基二極體電路相比顯著降低的功耗，特別是在熱插拔冗餘電源和電池放電保護等大功率應用中...
英飛凌推出EasyPACK CoolSiC MOSFET模組
Easy模組F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）範圍內工作而設計，它採用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術，並具備更高的二極體額定值...
【行業資訊】這些汽車半導體功能將會深刻影響未來汽車行業的命運！
因為處在劇烈的變動中且有著很高的附加值，ADAS域與智慧座艙域的計算晶片競爭激烈，傳統晶片供應商試圖固守這片高利潤市場，跨界的巨頭和新興的創企則渴望攀上價值高地，就連車企在感悟到掌握硬體的重要性後也試圖自研ADAS晶片...
STC8微控制器之深入理解輸入輸出口的工作模式
該工作模式僅有輸入功能，而且其輸入內部電路結構與以上3種工作模式相同，即：當I/O口配置為高阻輸入工作模式時，沒有片內上拉MOSFET、上拉電阻和下拉MOSFET，I/O埠引腳處於完全懸空狀態...
7nm的晶片,這個7nm是指的什麼?
28nm以上的晶片用的元器件是MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體），這個MOSFET主要有漏極（Drain，下圖D），源極（Source，下圖S），柵壓（Gate，下圖G）組成，主要原理是，源極和漏極之間如果導通，這個器件就能夠用...