濃縮的都是精華：工藝製程對CPU效能的影響究竟有多大？
在實際製造CPU的過程中，精度更高意味著電晶體的“溝道長度”會越小，我們一般稱其為柵極線寬，就拿MosFET（金氧半場效電晶體）為例，其內部結構基本可以劃分為三個電極，即柵極、源極和漏極，其中柵極是控制電流的關鍵部位，並且是目前所能改動的唯...
IGBT柵極驅動的引數要求和驅動條件
由以上分析可知，柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的導透過程影響較大，而對關斷過程影響小一些，串聯電阻小有利於加快關斷速率，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰...
從實際應用中吸取經驗：如何驅動寬頻隙半導體器件的柵極
作者：Riccardo Collura，EMEA 垂直部門經理（電源），富昌電子閱讀本文以瞭解矽、SiC 和 GaN 功率開關的主要特性比較柵極驅動器對寬頻隙電晶體的特殊要求評估 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 驅動器時要牢記的...
MOS管輸入電阻很高，為什麼一遇到靜電就“歇菜”？
保護柵極G~源極S，場效電晶體的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效電晶體產生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極...
《炬豐科技-半導體工藝》鐳射退火使 III 族氮化物電晶體的柵極優先製造可能
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：鐳射退火使 III 族氮化物電晶體的柵極優先製造成為可能編號：JFKJ-21-1153作者：華林科納引言透過使用聚焦鐳射對源極和漏極進行選擇性的微米級區域性退火，實現鋁鎵氮化物（AlGaN）高電子遷移率晶...
為什麼場效電晶體工作要為其提供一個放電迴路
當脈衝訊號結束後，這個寄生電容就會充滿電，由於場效電晶體的高輸入阻抗電容上儲存的電荷釋放不掉，這個寄生電容兩端的電壓就會繼續維持場效電晶體的導通，不僅降低開關電源的效率還會造成場效電晶體對地短路燒壞場效應個...
如何判斷場效電晶體極性?
使用指標式萬用表，將萬用表置於R×1K檔位，對於P型溝道場效電晶體，將紅表筆接入源極S或漏極D、黑表筆則接入柵極G，此時的電阻測量值應很大...
摩爾定律會如何發展？奈米片器件發話了...
金氧半導體場效應電晶體（MOSFET，即微處理器中使用的電晶體）自1959年誕生以來，其形狀和材料都發生了變化，但基本結構（柵極疊層、溝道區域、源極和漏極）一直保持不變...
詳細解析，晶片裡面100多億電晶體是如何實現的？
晶片製造的兩個趨勢，一個是晶圓越來越大，這樣就可以切割出更多的晶片，節省效率，另外就一個就是晶片製程，製程這個概念，其實就是柵極的大小，也可以稱為柵長，在電晶體結構中，電流從Source流入Drain，柵極（Gate）相當於閘門，主要負責控...
常聽到的晶片製程 22nm 14nm 7nm是什麼意思?
電晶體結構對於晶片製造商而言，主要就要不斷升級技術，力求柵極寬度越窄越好，但是進入10納米制程將面臨相當嚴峻的挑戰，主因是1顆原子的大小大約為0...
